RAM-Vergleich Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Gesamtnote

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

31 60

Rund um -94% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

20.5 6.8

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

15.5 5.4

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

25600 14900

Rund um 1.72 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-10-9-28 / 1866 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1411 3649

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns