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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Vergleichen Sie
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Gesamtnote
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Gesamtnote
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
60
Rund um -94% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.5
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.5
5.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
14900
Rund um 1.72 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.8
20.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.4
15.5
Speicherbandbreite, mbps
14900
25600
Other
Beschreibung
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-10-9-28 / 1866 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1411
3649
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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