RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Porównaj
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Wynik ogólny
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Wynik ogólny
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
74
Wokół strony 62% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
74
Prędkość odczytu, GB/s
18.2
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
14.9
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3501
1616
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link