RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Porównaj
Kingston KP4T2F-PSB 4GB vs SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Wynik ogólny
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
101
Wokół strony 62% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
7.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
13.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
101
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2317
1313
Kingston KP4T2F-PSB 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KP4T2F-MIN 4GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link