RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Porównaj
Kingston KVR533D2N4 512MB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Wynik ogólny
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR533D2N4 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
75
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
1,672.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
4200
Wokół strony 4.05 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
35
Prędkość odczytu, GB/s
1,943.5
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,672.1
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
17000
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
301
3147
Kingston KVR533D2N4 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
SK Hynix HMT41GU6MFR8C-PB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link