RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
65
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
38
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2807
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Kingston 9905403-434.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link