RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Porównaj
Kingston KVR533D2N4 512MB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR533D2N4 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
75
Wokół strony -200% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.7
1,672.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
4200
Wokół strony 4.05 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
25
Prędkość odczytu, GB/s
1,943.5
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,672.1
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
17000
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
301
3845
Kingston KVR533D2N4 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link