Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB

Kingston KVR533D2N4 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Wynik ogólny
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    26 left arrow 75
    Wokół strony -188% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    17.7 left arrow 1
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    14.0 left arrow 1,672.1
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    21300 left arrow 4200
    Wokół strony 5.07 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    75 left arrow 26
  • Prędkość odczytu, GB/s
    1,943.5 left arrow 17.7
  • Prędkość zapisu, GB/s
    1,672.1 left arrow 14.0
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    4200 left arrow 21300
Other
  • Opis
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Taktowanie / szybkość zegara
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    301 left arrow 3017
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania