RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Porównaj
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Wynik ogólny
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR533D2N4 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
75
Wokół strony -257% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.8
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
1,672.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
4200
Wokół strony 4.05 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR533D2N4 512MB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
21
Prędkość odczytu, GB/s
1,943.5
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,672.1
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
17000
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
301
3168
Kingston KVR533D2N4 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link