RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
59
Wokół strony -111% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3537
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link