RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR533D2N4 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
75
Wokół strony -200% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
1,672.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
4200
Wokół strony 4.57 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
25
Prędkość odczytu, GB/s
1,943.5
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,672.1
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
19200
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
301
2340
Kingston KVR533D2N4 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link