RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Porównaj
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Wynik ogólny
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wynik ogólny
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR533D2N4 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
59
75
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
1,672.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
4200
Wokół strony 6.1 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR533D2N4 512MB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
59
Prędkość odczytu, GB/s
1,943.5
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,672.1
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
25600
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
301
2181
Kingston KVR533D2N4 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link