RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
92
Wokół strony -163% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
35
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2926
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kllisre 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link