RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Porównaj
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Wynik ogólny
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wynik ogólny
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR533D2N4 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
75
Wokół strony -168% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
1,672.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
4200
Wokół strony 4.05 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR533D2N4 512MB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
28
Prędkość odczytu, GB/s
1,943.5
13.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,672.1
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
17000
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
301
2757
Kingston KVR533D2N4 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link