RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Porównaj
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Wynik ogólny
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wynik ogólny
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR533D2N4 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
75
Wokół strony -142% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
1,672.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
4200
Wokół strony 4.05 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR533D2N4 512MB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
31
Prędkość odczytu, GB/s
1,943.5
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,672.1
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
17000
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
301
2199
Kingston KVR533D2N4 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link