RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Porównaj
Kingston KVR533D2N4 512MB vs V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Wynik ogólny
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR533D2N4 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
75
Wokół strony -127% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
1,672.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
4200
Wokół strony 5.07 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR533D2N4 512MB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
33
Prędkość odczytu, GB/s
1,943.5
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,672.1
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
21300
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
301
2524
Kingston KVR533D2N4 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link