RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
77
Wokół strony -166% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3687
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link