RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
77
Wokół strony -166% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3687
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link