RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
71
Wokół strony -223% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
22
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3201
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link