RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
71
Wokół strony -223% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
22
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3201
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link