RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Porównaj
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Wynik ogólny
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wynik ogólny
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR533D2N4 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
74
75
Wokół strony -1% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
1,672.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
4200
Wokół strony 5.07 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR533D2N4 512MB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
74
Prędkość odczytu, GB/s
1,943.5
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,672.1
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
21300
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
301
1616
Kingston KVR533D2N4 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link