RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Kingston KVR533D2N4 512MB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Средняя оценка
star star star star star
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston KVR533D2N4 512MB Причины выбрать
Kingston KVR533D2N4 512MB
Сообщить об ошибке
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    74 left arrow 75
    Около -1% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    13.6 left arrow 1
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    7.7 left arrow 1,672.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 4200
    Около 5.07 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Kingston KVR533D2N4 512MB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    75 left arrow 74
  • Скорость чтения, Гб/сек
    1,943.5 left arrow 13.6
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,672.1 left arrow 7.7
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    4200 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Тайминги / частота
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    301 left arrow 1616

Kingston KVR533D2N4 512MB Сравнения RAM

Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
модули RAM
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
модули RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
модули RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
модули RAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
модули RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
модули RAM
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
модули RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
модули RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
модули RAM
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
модули RAM
Kingston KF556C40-16 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
модули RAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
модули RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
модули RAM
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
модули RAM