RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2963
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link