RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Porównaj
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Wynik ogólny
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
50
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
1,905.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
37
Prędkość odczytu, GB/s
5,143.3
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,905.1
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
855
2946
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Kingmax Semiconductor FSFF65F-C8KL9 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link