RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Porównaj
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Wynik ogólny
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
20
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
50
Wokół strony -72% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
1,905.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
29
Prędkość odczytu, GB/s
5,143.3
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,905.1
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
855
3831
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link