RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Porównaj
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Wynik ogólny
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
17.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
50
Wokół strony -108% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
1,905.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
24
Prędkość odczytu, GB/s
5,143.3
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,905.1
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
855
3257
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link