RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Porównaj
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Wynik ogólny
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
50
52
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
10.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
1,905.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17500
6400
Wokół strony 2.73 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
52
Prędkość odczytu, GB/s
5,143.3
10.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,905.1
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17500
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
no data
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
855
2319
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link