RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
15.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
33
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
24
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
2517
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link