RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
104
Wokół strony -206% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2917
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link