RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
53
Wokół strony -194% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
18
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
3814
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link