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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
比較する
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
総合得点
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
総合得点
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
17.6
15.7
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
17000
周辺 1.51% 高帯域
考慮すべき理由
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
33
周辺 -38% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
12.3
12.0
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
33
24
読み出し速度、GB/s
17.6
15.7
書き込み速度、GB/秒
12.0
12.3
メモリ帯域幅、mbps
25600
17000
Other
商品説明
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2910
2517
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAMの比較
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
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Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
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