RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
OCZ OCZ2N800SR1G 1GB
Porównaj
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs OCZ OCZ2N800SR1G 1GB
Wynik ogólny
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Wynik ogólny
OCZ OCZ2N800SR1G 1GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
50
51
Wokół strony 2% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
OCZ OCZ2N800SR1G 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
1,995.1
1,905.1
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
OCZ OCZ2N800SR1G 1GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR2
Opóźnienie w PassMark, ns
50
51
Prędkość odczytu, GB/s
5,143.3
4,738.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,905.1
1,995.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
6400
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
855
705
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
OCZ OCZ2N800SR1G 1GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
OCZ OCZ2N800SR1G 1GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link