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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
OCZ OCZ2N800SR1G 1GB
比较
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs OCZ OCZ2N800SR1G 1GB
总分
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
总分
OCZ OCZ2N800SR1G 1GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
50
51
左右 2% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
5
4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
OCZ OCZ2N800SR1G 1GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
1,995.1
1,905.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
OCZ OCZ2N800SR1G 1GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR2
PassMark中的延时,ns
50
51
读取速度,GB/s
5,143.3
4,738.4
写入速度,GB/s
1,905.1
1,995.1
内存带宽,mbps
6400
6400
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
705
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
OCZ OCZ2N800SR1G 1GB RAM的比较
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
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