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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
比较
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs AMD R744G2400U1S-UO 4GB
总分
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
总分
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
66
69
左右 -5% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.5
1,441.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
66
读取速度,GB/s
3,325.1
16.7
写入速度,GB/s
1,441.2
8.5
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
1912
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
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