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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
15.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
77
左右 -221% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
24
读取速度,GB/s
3,405.2
18.6
写入速度,GB/s
2,622.0
15.8
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3800
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
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Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
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