RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
15.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
77
Por volta de -221% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
5300
Por volta de 4.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
24
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
18.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
15.8
Largura de banda de memória, mbps
5300
25600
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
3800
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M392B1G73BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.01GA0.9L5 1GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link