Porównanie pamięci RAM Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Wynik ogólny

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Powody do rozważenia
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

31 50

Wokół strony -61% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s

15.5 1,905.1

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

25600 6400

Wokół strony 4 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara

5-5-5-15 / 800 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

855 3649

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns