RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Porównaj
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Wynik ogólny
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
50
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.1
1,905.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
26
Prędkość odczytu, GB/s
5,143.3
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,905.1
17.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
855
3757
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link