RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Porównaj
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB vs Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
41
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
34
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2780
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link