RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Porównaj
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB vs Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
36
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
10.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
36
Prędkość odczytu, GB/s
16.8
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.4
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2962
2569
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link