RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Porównaj
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB vs G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Wynik ogólny
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
29
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
9.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
5.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
23
Prędkość odczytu, GB/s
9.4
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
5.1
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1432
3195
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link