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Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
比较
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB vs G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
总分
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
总分
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
29
左右 -26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
5.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
23
读取速度,GB/s
9.4
17.4
写入速度,GB/s
5.1
13.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1432
3195
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
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