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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
32
左右 3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
15.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
9.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
32
读取速度,GB/s
17.4
15.2
写入速度,GB/s
10.9
9.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
2810
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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