RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Porównaj
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
46
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.6
9.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
5.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
46
Prędkość odczytu, GB/s
9.4
11.6
Prędkość zapisu, GB/s
5.1
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1432
2469
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Nanya Technology NT512T64UH8B0FN-3C 512MB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link