RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Porównaj
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Wynik ogólny
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
40
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
14.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
24
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2455
2821
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Elpida EBE11UE6ACUA-6E-E 1GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link