RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
46
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
7.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.2
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.9
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2072
2633
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link