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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
比较
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
总分
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
总分
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
46
左右 -109% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
12.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.7
7.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
22
读取速度,GB/s
12.2
16.1
写入速度,GB/s
7.9
8.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2072
2633
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB RAM的比较
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Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
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