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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Comparez
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Note globale
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Note globale
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Différences
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
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Raisons de considérer
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
46
Autour de -109% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
12.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.7
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
22
Vitesse de lecture, GB/s
12.2
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.9
8.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2072
2633
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
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