RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
104
Autour de -420% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.2
2,404.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
20
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
2503
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link