RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Porównaj
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
59
Wokół strony -119% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
1,855.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,168.0
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,855.7
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
680
2545
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link