RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Porównaj
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Wynik ogólny
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Wynik ogólny
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
59
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
1,855.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
34
Prędkość odczytu, GB/s
4,168.0
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,855.7
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
680
2739
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link