RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Porównaj
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB vs Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
36
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
36
Prędkość odczytu, GB/s
15.7
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2767
3044
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link