RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Porównaj
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Wynik ogólny
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
59
Wokół strony -90% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
1,855.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,168.0
11.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,855.7
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
680
2371
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link